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ZVN4525ZTA
Diodes Incorporated
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Prezzo unitario : € 1,20000
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Canale N 240 V 260mA (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT89
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Canale N 240 V 260mA (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT89
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

BSS87L6327HTSA1

Codice DigiKey
BSS87L6327HTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
BSS87L6327HTSA1
Descrizione
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 240 V 260mA (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT89
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
SIPMOS®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
240 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
260mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
6ohm a 260mA, 10V
Vgs(th) max a Id
1,8V a 108µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
97 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-SOT89
Contenitore/involucro
TO-243AA
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