Name: BSS670S2LH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS670S2LH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.3416 EUR
Availability: InStock

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BSS670S2LH6327XTSA1
Codice DigiKey	BSS670S2LH6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSS670S2LH6327XTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSS670S2LH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSS670S2LH6327XTSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSS670S2LH6327XTSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 2.26 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 75 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 55 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 540mA (Ta)	Contenitore del fornitore PG-SOT23
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 650mohm a 270mA, 10V	Codice componente base BSS670
Vgs(th) max a Id 2V a 2,7µA

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)