Name: BSS214NWH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS214NWH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.427 EUR
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Diodes Incorporated

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BSS214NWH6327XTSA1
Codice DigiKey	BSS214NWH6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSS214NWH6327XTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSS214NWH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSS214NWH6327XTSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 1,5 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT323
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSS214NWH6327XTSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.8 nC @ 5 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±12V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 143 pF @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,5 A (Ta)	Contenitore del fornitore PG-SOT323
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore/involucro SC-70, SOT-323
RDSon (max) a Id, Vgs 140mohm a 1,5A, 4,5V	Codice componente base BSS214
Vgs(th) max a Id 1,2V a 3,7µA

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN3150LW-7	Diodes Incorporated	41 908	DMN3150LWDICT-ND	€ 0,57000	Simile

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