Name: BSS192PH6327FTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS192PH6327FTSA1TR-ND
Price: 0.8662 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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BSS192PH6327FTSA1
Codice DigiKey	BSS192PH6327FTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSS192PH6327FTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSS192PH6327FTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSS192PH6327FTSA1
Descrizione	MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT89
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSS192PH6327FTSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.1 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie SIPMOS®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 104 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 250 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 190mA (Ta)	Contenitore del fornitore PG-SOT89
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,8V, 10V	Contenitore/involucro TO-243AA
RDSon (max) a Id, Vgs 12ohm a 190mA, 10V	Codice componente base BSS192
Vgs(th) max a Id 2V a 130µA

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
ZVP4525ZTA	Diodes Incorporated	117	ZVP4525ZCT-ND	€ 1,45000	Simile

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