Canale N, modalità depletion 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT-23-3
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BSS169IXTSA1

Codice DigiKey
448-BSS169IXTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-BSS169IXTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-BSS169IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
BSS169IXTSA1
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N, modalità depletion 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT-23-3
cms-datasheet
 cms-datasheet
Modelli EDA/CAD
BSS169IXTSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N, modalità depletion
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
190mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
0V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
12Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) max a Id
1,8V a 50µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
2.1 nC @ 7 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
51 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
360mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-SOT-23-3
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità cms-unit-pricePrezzo tot
1€ 0,34000€ 0,34
10€ 0,20500€ 2,05
100€ 0,12870€ 12,87
500€ 0,09556€ 47,78
1 000€ 0,08482€ 84,82
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,34000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,41480
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