Name: BSR202NL6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSR202NL6327HTSA1TR-ND
Price: 0.8052 EUR
Availability: InStock

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BSR202NL6327HTSA1
Codice DigiKey	BSR202NL6327HTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSR202NL6327HTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSR202NL6327HTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSR202NL6327HTSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 3.8A SC59
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 3,8 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SC59-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSR202NL6327HTSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	21mohm a 3,8A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 30µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1147 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SC59-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	BSR202

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)