BSO615CGHUMA1 Infineon Technologies | Array FET, MOSFET

BSO615CGHUMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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Prezzo unitario : € 0,90000

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BSO615CGHUMA1
Codice DigiKey	BSO615CGHUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSO615CGHUMA1
Descrizione	MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 3,1 A, 2 A 2W A montaggio superficiale PG-DSO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,1 A, 2 A
RDSon (max) a Id, Vgs	110mohm a 3,1A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 20µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	22,5nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	380pF a 25V
Potenza - Max	2W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore	PG-DSO-8
Codice componente base	BSO615