Name: BSO613SPVGXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSO613SPVGXUMA1TR-ND
Price: 1.647 EUR
Availability: InStock

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BSO613SPVGXUMA1
Codice DigiKey	448-BSO613SPVGXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSO613SPVGXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSO613SPVGXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSO613SPVGXUMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 8-SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 3,44 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale PG-DSO-8-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSO613SPVGXUMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,44 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	130mohm a 3,44A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	875 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-DSO-8-6
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	BSO613