Name: BSL308PEH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSL308PEH6327XTSA1TR-ND
Price: 1.0004 EUR
Availability: OutOfStock

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BSL308PEH6327XTSA1
Codice DigiKey	BSL308PEH6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSL308PEH6327XTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSL308PEH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSL308PEH6327XTSA1
Descrizione	MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 2A 500mW A montaggio superficiale PG-TSOP6-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSL308PEH6327XTSA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1V a 11µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5nC a 10V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 500pF a 15V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 500mW
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali P (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Funzione FET Gate livello logico, comando 4,5V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2A	Contenitore del fornitore PG-TSOP6-6
RDSon (max) a Id, Vgs 80mohm a 2A, 10V	Codice componente base BSL308

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)