Canale P 30 V 1,5 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT363-PO
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Canale P 30 V 1,5 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT363-PO
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

BSD314SPEL6327HTSA1

Codice DigiKey
BSD314SPEL6327HTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
BSD314SPEL6327HTSA1
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 1,5 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT363-PO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
1,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
140mohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 6,3µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
2.9 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
294 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-SOT363-PO
Contenitore/involucro
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
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