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BSD235N L6327 | |
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Codice DigiKey | BSD235NL6327INTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BSD235N L6327 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 950mA 500mW A montaggio superficiale PG-SOT363-PO |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 1,2V a 1,6µA |
Produttore Infineon Technologies | Carica del gate (Qg) max a Vgs 0,32nC a 4,5V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 63pF a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Potenza - Max 500mW |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Qualifica AEC-Q101 |
Funzione FET Porta a livello logico | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore/involucro 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 950mA | Contenitore del fornitore PG-SOT363-PO |
RDSon (max) a Id, Vgs 350mohm a 950mA, 4,5V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| PMGD175XNEX | Nexperia USA Inc. | 6 423 | 1727-2695-1-ND | € 0,50000 | Simile |


