Equivalente parametrico
Equivalente parametrico

BSD214SN L6327 | |
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Codice DigiKey | BSD214SNL6327INTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BSD214SN L6327 |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 20 V 1,5 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT363-PO |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 1,2V a 3,7µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.8 nC @ 5 V |
Serie | Vgs (max) ±12V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 143 pF @ 10 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 20 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V | Contenitore del fornitore PG-SOT363-PO |
RDSon (max) a Id, Vgs 140mohm a 1,5A, 4,5V | Contenitore/involucro |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 12 625 | 448-BSD214SNH6327XTSA1CT-ND | € 0,33000 | Equivalente parametrico |
| BSD214SNL6327 | Rochester Electronics, LLC | 41 600 | 2156-BSD214SNL6327-ND | € 0,06799 | Equivalente parametrico |



