Name: BSC900N20NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC900N20NS3GATMA1TR-ND
Price: 2.5376 EUR
Availability: OutOfStock

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BSC900N20NS3GATMA1
Codice DigiKey	BSC900N20NS3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC900N20NS3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC900N20NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC900N20NS3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 15,2 A (Tc) 62,5W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-5
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC900N20NS3GATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 30µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11.6 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 920 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 62,5W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-5
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15,2 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base BSC900
RDSon (max) a Id, Vgs 90mohm a 7,6A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSZ900N20NS3GATMA1	Infineon Technologies	30 678	BSZ900N20NS3GATMA1CT-ND	€ 1,77000	Equivalente parametrico
RJK2057DPA-00#J0	Renesas Electronics Corporation	0	RJK2057DPA-00#J0-ND	€ 0,00000	Simile