Name: BSC252N10NSFGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC252N10NSFGATMA1TR-ND
Price: 2.2204 EUR
Availability: InStock

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BSC252N10NSFGATMA1
Codice DigiKey	BSC252N10NSFGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC252N10NSFGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC252N10NSFGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC252N10NSFGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 7,2 A (Ta), 40 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC252N10NSFGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 43µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1100 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,2 A (Ta), 40 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base BSC252
RDSon (max) a Id, Vgs 25,2mohm a 20A, 10V

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
CSD19534Q5A	Texas Instruments	50 740	296-43636-1-ND	€ 1,35000	Simile
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FDMS86104	onsemi	15 434	FDMS86104CT-ND	€ 3,07000	Simile
PSMN020-100YS,115	Nexperia USA Inc.	35 146	1727-4286-1-ND	€ 1,48000	Simile