Name: BSC112N06LDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC112N06LDATMA1TR-ND
Price: 2.379 EUR
Availability: InStock

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BSC112N06LDATMA1
Codice DigiKey	448-BSC112N06LDATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSC112N06LDATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSC112N06LDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC112N06LDATMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 20 A (Tc) 65W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC112N06LDATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 11,2mohm a 17A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2,2V a 28µA
Serie OptiMOS™ T2	Carica del gate (Qg) max a Vgs 55nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4020pF a 30V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 65W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-4
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Tc)	Codice componente base BSC112