Name: BSC110N15NS5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC110N15NS5SCATMA1TR-ND
Price: 5.2216 EUR
Availability: InStock

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BSC110N15NS5SCATMA1
Codice DigiKey	448-BSC110N15NS5SCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSC110N15NS5SCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSC110N15NS5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC110N15NS5SCATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 76 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC110N15NS5SCATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 11mohm a 38A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 4,6V a 91µA
Serie OptiMOS™ 5	Carica del gate (Qg) max a Vgs 35 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2770 pF @ 75 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 76 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN