BSC084P03NS3EGATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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Scheda tecnica
Canale P 30 V 14,9 A (Ta), 78,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-5
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BSC084P03NS3EGATMA1

Codice DigiKey
BSC084P03NS3EGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
BSC084P03NS3EGATMA1
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 14,9 A (Ta), 78,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-5
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8,4mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 110µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
57.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4240 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TDSON-8-5
Contenitore/involucro
Codice componente base
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