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BSC080N03LSGATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BSC080N03LSGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BSC080N03LSGATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 14A/53A TDSON |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 14 A (Ta), 53 A (Tc) 2,5W (Ta), 35W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-5 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BSC080N03LSGATMA1 Modelli |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 21 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1700 pF @ 15 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 35W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-5 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 30A, 10V |
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Sostituti (15)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BSC080N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | 719 667 | BSC080N03MSGATMA1CT-ND | € 7,76000 | Consigliato dal produttore |
| FDMS8680 | onsemi | 790 | FDMS8680CT-ND | € 17,37000 | Diretto |
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | 4 839 | 296-24254-1-ND | € 8,97000 | Simile |
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | 17 413 | 296-25854-1-ND | € 11,41000 | Simile |
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | 169 469 | 296-25857-1-ND | € 8,20000 | Simile |
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