Name: BSC059N04LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC059N04LSGATMA1TR-ND
Price: 1.3542 EUR
Availability: InStock

BSC059N04LSGATMA1
Codice DigiKey	BSC059N04LSGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC059N04LSGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC059N04LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC059N04LSGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 16 A (Ta), 73 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-5
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC059N04LSGATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	16 A (Ta), 73 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,9mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 23µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3200 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TDSON-8-5
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	BSC059

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5 000	€ 0,27165	€ 1 358,25
10 000	€ 0,25856	€ 2 585,60

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,11000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,35420

BSC059N04LSGATMA1