BSC0503NSIATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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BSC0503NSIATMA1
Codice DigiKey	448-BSC0503NSIATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSC0503NSIATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSC0503NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC0503NSIATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 22 A (Ta), 88 A (Tc) 2,5W (Ta), 36W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC0503NSIATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1300 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 36W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 22 A (Ta), 88 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSC0503
RDSon (max) a Id, Vgs 3mohm a 30A, 10V

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
CSD17501Q5A	Texas Instruments	0	296-28437-1-ND	€ 2,44000	Simile
CSD17553Q5A	Texas Instruments	4 393	296-30602-1-ND	€ 1,84000	Simile
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