BSC026N02KSGAUMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

BSC026N02KSGAUMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

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Prezzo unitario : € 1,50000

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BSC026N02KSGAUMA1
Codice DigiKey	BSC026N02KSGAUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC026N02KSGAUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC026N02KSGAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC026N02KSGAUMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 25 A (Ta), 100 A (Tc) 2,8W (Ta), 78W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC026N02KSGAUMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,2V a 200µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 52.7 nC @ 4.5 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7800 pF @ 10 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,8W (Ta), 78W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 25 A (Ta), 100 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Codice componente base BSC026
RDSon (max) a Id, Vgs 2,6mohm a 50A, 4,5V