BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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BSC025N03MSGATMA1
Codice DigiKey	BSC025N03MSGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC025N03MSGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC025N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC025N03MSGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 23 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC025N03MSGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 98 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7600 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 23 A (Ta), 100 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSC025
RDSon (max) a Id, Vgs 2,5mohm a 30A, 10V

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Altre risorse

Sostituti (9)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
CSD17575Q3	Texas Instruments	0	296-39994-1-ND	€ 1,37000	Simile
CSD17576Q5B	Texas Instruments	3 342	296-43635-1-ND	€ 1,70000	Simile
CSD17576Q5BT	Texas Instruments	814	296-CSD17576Q5BTCT-ND	€ 2,06000	Simile
FDMC7660S	onsemi	7	FDMC7660SFSCT-ND	€ 1,84000	Simile
FDMS0306AS	onsemi	0	FDMS0306ASCT-ND	€ 0,40160	Simile