BSC025N03LSGATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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BSC025N03LSGATMA1
Codice DigiKey	BSC025N03LSGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC025N03LSGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC025N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC025N03LSGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 25 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-5
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 74 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6100 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-5
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 25 A (Ta), 100 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSC025
RDSon (max) a Id, Vgs 2,5mohm a 30A, 10V

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
CSD17576Q5B	Texas Instruments	3 400	296-43635-1-ND	€ 1,69000	Simile
CSD17576Q5BT	Texas Instruments	814	296-CSD17576Q5BTCT-ND	€ 2,04000	Simile
FDMS0306AS	onsemi	0	FDMS0306ASCT-ND	€ 0,39841	Simile
PSMN2R5-30YL,115	Nexperia USA Inc.	936	1727-4164-1-ND	€ 1,36000	Simile
RJK0346DPA-01#J0B	Renesas Electronics Corporation	4 604	559-RJK0346DPA-01#J0BCT-ND	€ 3,19000	Simile