Name: BSC015NE2LS5IATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC015NE2LS5IATMA1TR-ND
Price: 2.257 EUR
Availability: OutOfStock

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BSC015NE2LS5IATMA1
Codice DigiKey	448-BSC015NE2LS5IATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSC015NE2LS5IATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSC015NE2LS5IATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC015NE2LS5IATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 33 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC015NE2LS5IATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 30 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2000 pF @ 12 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33 A (Ta), 100 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSC015
RDSon (max) a Id, Vgs 1,5mohm a 30A, 10V