Name: BSC012N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC012N06NSATMA1TR-ND
Price: 5.5754 EUR
Availability: OutOfStock

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BSC012N06NSATMA1
Codice DigiKey	BSC012N06NSATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC012N06NSATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC012N06NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC012N06NSATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 36A (Ta), 306A (Tc) 214W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSON-8-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC012N06NSATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,3V a 147µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 143 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11000 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore PG-TSON-8-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 36A (Ta), 306A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base BSC012
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2mohm a 50A, 10V