Name: BSC004NE2LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC004NE2LS5ATMA1TR-ND
Price: 3.5502 EUR
Availability: OutOfStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

BSC004NE2LS5ATMA1
Codice DigiKey	448-BSC004NE2LS5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSC004NE2LS5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSC004NE2LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC004NE2LS5ATMA1
Descrizione	TRENCH <= 40V
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 40A (Ta), 479A (Tc) 2,5W (Ta), 188W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC004NE2LS5ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 0,45mohm a 30A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2V a 10mA
Serie OptiMOS™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 238 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11000 pF @ 12.5 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 188W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 40A (Ta), 479A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN