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BSB044N08NN3GXUMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BSB044N08NN3GXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSB044N08NN3GXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | BSB044N08NN3GXUMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 18 A (Ta), 90 A (Tc) 2,2W (Ta), 78W (Tc) A montaggio superficiale MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BSB044N08NN3GXUMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 97µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 73 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5700 pF @ 40 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 2,2W (Ta), 78W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 80 V | Contenitore del fornitore MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,4mohm a 30 A, 10V |
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