BSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

BSB015N04NX3GXUMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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In magazzino: 2 355

Prezzo unitario : € 1,50000

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BSB015N04NX3GXUMA1
Codice DigiKey	BSB015N04NX3GXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSB015N04NX3GXUMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 36 A (Ta), 180 A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale MG-WDSON-2, CanPAK M™
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,5mohm a 30A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie OptiMOS™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 142 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 12000 pF @ 20 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,8W (Ta), 89W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 36 A (Ta), 180 A (Tc)	Contenitore del fornitore MG-WDSON-2, CanPAK M™
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 3-WDSON

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NTMFS5C430NT1G	onsemi	2 355	NTMFS5C430NT1GOSCT-ND	€ 1,50000	Simile

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