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BDP950H6327XTSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-BDP950H6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BDP950H6327XTSA1 |
Descrizione | TRANS PNP 60V 3A PG-SOT223-4-10 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 60 V 3 A 100MHz 5 W A montaggio superficiale PG-SOT223-4-10 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BDP950H6327XTSA1 Modelli |
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Categoria | Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 85 a 500mA, 1V |
Produttore | Potenza - Max 5 W |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Frequenza - Transizione 100MHz |
Stato componente Data di acquisto finale | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tipo di transistor | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Collettore (Ic) max 3 A | Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 60 V | Contenitore del fornitore PG-SOT223-4-10 |
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 500mV a 200mA, 2A | Codice componente base |
Corrente - Interruzione collettore (max) 100 nA (ICBO) |
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Sostituti (9)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NSS60600MZ4T1G | onsemi | 5 373 | NSS60600MZ4T1GOSCT-ND | € 0,80000 | Diretto |
| NSV60600MZ4T1G | onsemi | 686 | NSV60600MZ4T1GOSCT-ND | € 0,90000 | Diretto |
| BCP52TA | Diodes Incorporated | 0 | BCP52CT-ND | € 0,39000 | Simile |
| FZT591TA | Diodes Incorporated | 0 | FZT591CT-ND | € 1,04000 | Simile |
| FZT751QTA | Diodes Incorporated | 14 610 | FZT751QTADICT-ND | € 0,83000 | Simile |
Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.12.2026
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,19090 | € 572,70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,19090 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,23290 |
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