BCR185E6327HTSA1 è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Diretto


onsemi
In magazzino: 6 462
Prezzo unitario : € 0,13000
Scheda tecnica

Diretto


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,11000
Scheda tecnica

Diretto


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,11000
Scheda tecnica

Diretto


onsemi
In magazzino: 1 900
Prezzo unitario : € 0,15000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,03899
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 4 480
Prezzo unitario : € 0,20000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 8 887
Prezzo unitario : € 0,12000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 4 222
Prezzo unitario : € 0,12000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 5 585
Prezzo unitario : € 0,14000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,14000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 16 012
Prezzo unitario : € 0,13000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 17 620
Prezzo unitario : € 0,17000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 8 166
Prezzo unitario : € 0,17000
Scheda tecnica

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,11000
Scheda tecnica
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati PNP - pre-polarizzato 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

BCR185E6327HTSA1

Codice DigiKey
BCR185E6327HTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
BCR185E6327HTSA1
Descrizione
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli pre-polarizzati PNP - pre-polarizzato 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
BCR185E6327HTSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
70 a 5mA, 5V
Produttore
Infineon Technologies
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
300mV a 500µA, 10mA
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Corrente - Interruzione collettore (max)
100 nA (ICBO)
Stato componente
Data di acquisto finale
Frequenza - Transizione
200 MHz
Tipo di transistor
PNP - pre-polarizzato
Potenza - Max
200 mW
Corrente - Collettore (Ic) max
100 mA
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50 V
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Resistori inclusi
R1 e R2
Contenitore del fornitore
PG-SOT23
Resistore - Base (R1)
10 kOhms
Codice componente base
Resistore - Base emettitore (R2)
47 kOhms
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (14)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
MMUN2114LT1Gonsemi6 462MMUN2114LT1GOSCT-ND€ 0,13000Diretto
PDTA114ET,215Nexperia USA Inc.01727-5127-1-ND€ 0,11000Diretto
PDTA114ET,235Nexperia USA Inc.01727-PDTA114ET,235CT-ND€ 0,11000Diretto
SMMUN2114LT1Gonsemi1 900SMMUN2114LT1GOSCT-ND€ 0,15000Diretto
DTA114YCAT116Rohm Semiconductor0DTA114YCAT116CT-ND€ 0,03899Simile
Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.12.2026
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
36 000€ 0,04228€ 1 522,08
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,04228
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,05158