BC858CE6327HTSA1 è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Diretto


Diodes Incorporated
In magazzino: 2 960
Prezzo unitario : € 0,16000
Scheda tecnica

Diretto


onsemi
In magazzino: 91
Prezzo unitario : € 0,10000
Scheda tecnica

Diretto


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,12000
Scheda tecnica

Diretto


onsemi
In magazzino: 895
Prezzo unitario : € 0,15000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 2 792
Prezzo unitario : € 0,59000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 2 710
Prezzo unitario : € 0,63000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,17536
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,68000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 4 001
Prezzo unitario : € 0,49000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 9 690
Prezzo unitario : € 0,21000
Scheda tecnica

Simile


Taiwan Semiconductor Corporation
In magazzino: 8 978
Prezzo unitario : € 0,15000
Scheda tecnica

Simile


Comchip Technology
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,03753
Scheda tecnica

Simile


MCC (Micro Commercial Components)
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,02126
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 27 718
Prezzo unitario : € 0,10000
Scheda tecnica
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

BC858CE6327HTSA1

Codice DigiKey
BC858CE6327HTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
BC858CE6327HTSA1
Descrizione
TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
BC858CE6327HTSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo di transistor
Corrente - Collettore (Ic) max
100 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
30 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
650mV a 5mA, 100mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
15 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
420 a 2mA, 5V
Potenza - Max
330 mW
Frequenza - Transizione
250MHz
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore
PG-SOT23
Codice componente base
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

Data ultima possibilità d'acquisto
Magazzino Marketplace: 169 480 Guarda
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.12.2026
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
45 000€ 0,03703€ 1 666,35
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,03703
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,04518

Altri fornitori su Digi-Key

169 480In magazzino
Spedito da Rochester Electronics, LLC