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Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
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BC858AE6327HTSA1

Codice DigiKey
BC858AE6327HTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
BC858AE6327HTSA1
Descrizione
TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
BC858AE6327HTSA1 Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
125 a 2mA, 5V
Produttore
Potenza - Max
330 mW
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Frequenza - Transizione
250MHz
Stato componente
Data di acquisto finale
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di transistor
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max
100 mA
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
30 V
Contenitore del fornitore
PG-SOT23
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
650mV a 5mA, 100mA
Codice componente base
Corrente - Interruzione collettore (max)
15 nA (ICBO)
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
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Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
BC858ALT1Gonsemi33 914BC858ALT1GOSCT-ND€ 0,10000Diretto
2SB1695KT146Rohm Semiconductor2 7922SB1695KT146CT-ND€ 0,63000Simile
2SB1695TLRohm Semiconductor2 6802SB1695TLCT-ND€ 0,63000Simile
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2SB1710TLRohm Semiconductor02SB1710TLCT-ND€ 0,72000Simile
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Data ultima possibilità d'acquisto: 31.12.2026
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
45 000€ 0,04371€ 1 966,95
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,04371
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