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Toshiba Semiconductor and Storage
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Diodi - RF Schottky - 2 indipendenti 3V 100 mA 100 mW PG-SOT343-3D
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BAT6307WH6327XTSA1

Codice DigiKey
BAT6307WH6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
BAT6307WH6327XTSA1
Descrizione
DIODE SCHOTTKY 3V 100MW SOT343
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi - RF Schottky - 2 indipendenti 3V 100 mA 100 mW PG-SOT343-3D
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo di diodo
Schottky - 2 indipendenti
Tensione - Inversa di picco max
3V
Corrente - Max
100 mA
Capacità a Vr, F
0,85pF a 0,2V, 1MHz
Resistenza a If, F
-
Dissipazione di potenza (max)
100 mW
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Contenitore/involucro
SC-82A, SOT-343
Contenitore del fornitore
PG-SOT343-3D
Codice componente base
BAT63
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