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AUIRLR3636TRL | |
|---|---|
Codice DigiKey | AUIRLR3636TRL-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | AUIRLR3636TRL |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 99A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 50 A (Tc) 143W (Tc) A montaggio superficiale |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 49 nC @ 4.5 V |
Produttore | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3779 pF @ 50 V |
Serie | Dissipazione di potenza (max) 143W (Tc) |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stato componente Obsoleto | Grado Automobilistico |
Tipo FET | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 6,8mohm a 50A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 100µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD90N06S4L06ATMA2 | Infineon Technologies | 3 216 | 448-IPD90N06S4L06ATMA2CT-ND | € 1,70000 | Simile |
| NTD5862NT4G | onsemi | 529 | NTD5862NT4GOSCT-ND | € 2,11000 | Simile |



