AUIRLR120NTRL Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

AUIRLR120NTRL è obsoleto e non è più in produzione.

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Equivalente parametrico

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AUIRLR120NTRL
Codice DigiKey	448-AUIRLR120NTRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-AUIRLR120NTRLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AUIRLR120NTRL
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 10 A (Tc) 48W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 5 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±16V
Serie HEXFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 440 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 185mohm a 6A, 10V	Codice componente base AUIRLR120
Vgs(th) max a Id 2V a 250µA

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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