Canale N 150 V 4,4 A (Ta), 18 A (Tc) 2,7W (Ta), 45W (Tc) A montaggio superficiale DirectFET™ isometrico M2
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AUIRF7675M2TR

Codice DigiKey
AUIRF7675M2TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
AUIRF7675M2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
AUIRF7675M2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
AUIRF7675M2TR
Descrizione
MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET
Tempi di consegna standard del produttore
31 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 150 V 4,4 A (Ta), 18 A (Tc) 2,7W (Ta), 45W (Tc) A montaggio superficiale DirectFET™ isometrico M2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
AUIRF7675M2TR Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
150 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4,4 A (Ta), 18 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
56mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1360 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,7W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DirectFET™ isometrico M2
Contenitore/involucro
DirectFET™ isometrico M2
Codice componente base
AUIRF7675
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,79000€ 3,79
10€ 2,49500€ 24,95
100€ 1,75870€ 175,87
500€ 1,49098€ 745,49
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
4 800€ 1,21812€ 5 846,98
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,79000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,62380
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