AUIRF7103Q Infineon Technologies | Array FET, MOSFET

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AUIRF7103Q
Codice DigiKey	AUIRF7103Q-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AUIRF7103Q
Descrizione	MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 50V 3A 2,4W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15nC a 10V
Serie HEXFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 255pF a 25V
Confezionamento Tubo	Potenza - Max 2,4W
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali N (doppio)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 50V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3A	Codice componente base AUIRF7103
RDSon (max) a Id, Vgs 130mohm a 3A, 10V

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