Name: AIMDQ75R016M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMDQ75R016M1HXUMA1TR-ND
Price: 22.753 EUR
Availability: InStock

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AIMDQ75R016M1HXUMA1
Codice DigiKey	448-AIMDQ75R016M1HXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-AIMDQ75R016M1HXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-AIMDQ75R016M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AIMDQ75R016M1HXUMA1
Descrizione	SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 750 V 98 A (Tc) 384W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,6V a 14,9mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 80 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (max) +23V, -5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2869 pF @ 500 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 384W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 750 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 98 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 0V, 18V	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-22
RDSon (max) a Id, Vgs 22mohm a 41,5A, 18V	Contenitore/involucro Modulo 22-PowerBSOP