Name: AIMDQ75R004M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMDQ75R004M2HXTMA1TR-ND
Price: 57.2058 EUR
Availability: OutOfStock

Nuovo prodotto

Canale N 750 V 357A (Tc) 1499W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22-1

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AIMDQ75R004M2HXTMA1
Codice DigiKey	448-AIMDQ75R004M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-AIMDQ75R004M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-AIMDQ75R004M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AIMDQ75R004M2HXTMA1
Descrizione	AIMDQ75R004M2HXTMA1
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 750 V 357A (Tc) 1499W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	750 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	357A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 20V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,6mohm a 170A, 20V
Vgs(th) max a Id	5,6V a 55,4mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	328 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	11374 pF @ 500 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1499W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HDSOP-22-1
Contenitore/involucro	Modulo 22-PowerBSOP