Name: AIMCQ120R080M1TXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMCQ120R080M1TXTMA1TR-ND
Price: 9.6868 EUR
Availability: InStock

Canale N 1200 V 34 A (Tc) 211W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22

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AIMCQ120R080M1TXTMA1
Codice DigiKey	448-AIMCQ120R080M1TXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-AIMCQ120R080M1TXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-AIMCQ120R080M1TXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AIMCQ120R080M1TXTMA1
Descrizione	SIC_DISCRETE
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 34 A (Tc) 211W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	AIMCQ120R080M1TXTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,1V a 3,3mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 24 nC @ 20 V
Serie CoolSiC™	Vgs (max) +25V, -10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 671 pF @ 800 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 211W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 34 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V, 20V	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-22
RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 10A, 20V	Contenitore/involucro Modulo 22-PowerBSOP