Name: AIMBG75R027M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG75R027M1HXTMA1TR-ND
Price: 15.9088 EUR
Availability: InStock

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AIMBG75R027M1HXTMA1
Codice DigiKey	448-AIMBG75R027M1HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-AIMBG75R027M1HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-AIMBG75R027M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AIMBG75R027M1HXTMA1
Descrizione	SICFET N-CH 750V 64A TO-263
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 750 V 64 A (Tc) 273W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	AIMBG75R027M1HXTMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 49 nC @ 18 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) +23V, -5V
Serie CoolSiC™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1668 pF @ 500 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 273W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 750 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 64 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO263-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 25mohm a 24,5A, 20V	Codice componente base AIMBG75
Vgs(th) max a Id 5,6V a 8,8mA

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In magazzino: 1 064

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1 000	€ 6,25778	€ 6 257,78

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 13,04000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 15,90880

AIMBG75R027M1HXTMA1