Name: AIMBG120R030M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R030M1XTMA1TR-ND
Price: 16.5432 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

AIMBG120R030M1XTMA1
Codice DigiKey	448-AIMBG120R030M1XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-AIMBG120R030M1XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-AIMBG120R030M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AIMBG120R030M1XTMA1
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 70A TO-263
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 70 A (Tc) 333W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 57 nC @ 20 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) +23V, -5V
Serie CoolSiC™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1738 pF @ 800 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 333W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 70 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO263-7-12
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V, 20V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 38mOhm @ 27A, 20V	Codice componente base AIMBG120
Vgs(th) max a Id 5.1V @ 8.6mA