Name: GT800N10I
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT800N10ITR-ND
Price: 0.4148 EUR
Availability: InStock

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GT800N10I
Codice DigiKey	3141-GT800N10ITR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-GT800N10ICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT800N10IDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT800N10I
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 3.4A 1.6W 110M(
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 3,4 A (Tc) 1,7W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 80mohm a 2A, 10V
Produttore Goford Semiconductor	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Serie GT	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 210 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,7W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,4 A (Tc)	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,34000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,41480

GT800N10I