Name: GSFB3123
Brand: Good-Ark Semiconductor
SKU: 4786-GSFB3123TR-ND
Price: 0.4148 EUR
Availability: InStock

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GSFB3123
Codice DigiKey	4786-GSFB3123TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 4786-GSFB3123CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 4786-GSFB3123DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Good-Ark Semiconductor
Codice produttore	GSFB3123
Descrizione	MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -30V
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 10 A (Tc) 2,2W (Tc) A montaggio superficiale 6-DFN (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Good-Ark Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	23mohm a 8A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,9V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	17 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2500 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,2W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-DFN (2x2)
Contenitore/involucro	6-WDFN piazzola esposta

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Nastrato in bobina (TR)