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GT800N10L | |
|---|---|
Codice DigiKey | 4822-GT800N10LTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | GT800N10L |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 3,5 A (Tc) 1,7W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 5 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 209 pF @ 50 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 1,7W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore SOT-23-3 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 80mohm a 2A, 10V |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,04759 | € 142,77 |
| 15 000 | € 0,04504 | € 675,60 |
| 30 000 | € 0,03570 | € 1 071,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,04759 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,05806 |
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