Name: GT180P08D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT180P08D5TR-ND
Price: 2.8914 EUR
Availability: InStock

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GT180P08D5
Codice DigiKey	3141-GT180P08D5TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-GT180P08D5CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT180P08D5DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT180P08D5
Descrizione	MOSFET P-CH 80V 78A 178W 18M(MAX
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 80 V 78 A (Tc) 178W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (4,9x5,75)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 18mohm a 20A, 10V
Produttore Goford Semiconductor	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Serie SGT	Carica del gate (Qg) max a Vgs 62.1 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) 20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6998 pF @ 40 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 178W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 78 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-DFN (4,9x5,75)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN