Name: GT130N20TL
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT130N20TLTR-ND
Price: 4.758 EUR
Availability: InStock

Novità in DigiKey

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GT130N20TL
Codice DigiKey	3141-GT130N20TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-GT130N20TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT130N20TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT130N20TL
Descrizione	MOSFET,N-CH,200V,95A,330W,TOLL-8
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 95 A (Tc) 330W (Tc) A montaggio superficiale TOLL-8L
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 30A, 10V
Produttore Goford Semiconductor	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie SGT	Carica del gate (Qg) max a Vgs 85 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5800 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 330W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 95 A (Tc)	Contenitore del fornitore TOLL-8L
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 000	€ 1,30100	€ 2 602,00
4 000	€ 1,26529	€ 5 061,16

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,90000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,75800

GT130N20TL