Name: GT110N06D3
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT110N06D3DKR-ND
Price: 1.3176 EUR
Availability: InStock

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GT110N06D3
Codice DigiKey	3141-GT110N06D3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT110N06D3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT110N06D3
Descrizione	N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 35 A (Tc) 25W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (3,15x3,05)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 11mohm a 14A, 10V
Produttore Goford Semiconductor	Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA
Serie SGT	Carica del gate (Qg) max a Vgs 24 nC @ 10 V
Confezionamento Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1059 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 35 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-DFN (3,15x3,05)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN