Name: GT065P06D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-GT065P06D5TR-ND
Price: 0.66384 EUR
Availability: InStock

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GT065P06D5
Codice DigiKey	4822-GT065P06D5TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT065P06D5
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 103A 8-POWERTDFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 103 A (Tc) 178W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (4,9x5,75)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Goford Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	103 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	7mohm a -20A, -10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	62 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5326 pF @ -30 V
Dissipazione di potenza (max)	178W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-DFN (4,9x5,75)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN