Name: GT016N10TL
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT016N10TLTR-ND
Price: 6.3928 EUR
Availability: InStock

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GT016N10TL
Codice DigiKey	3141-GT016N10TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-GT016N10TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-GT016N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	GT016N10TL
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 362A (Tc) 450W (Tc) A montaggio superficiale TOLL-8L
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,6mohm a 15A, 10V
Produttore Goford Semiconductor	Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA
Serie SGT	Carica del gate (Qg) max a Vgs 165 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10037 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 450W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 362A (Tc)	Contenitore del fornitore TOLL-8L
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 000	€ 1,87828	€ 3 756,56

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 5,24000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 6,39280

GT016N10TL